乔忠良,海南师范大学研究员,博导/硕导。主持省部级项目7项,其中主持国家自然科学基金项目3项,省重点项目1项,总装预研项目2项。参与省部级以上项目30余项。获海南省拔尖人才称号。在国内外发表学术论文130余篇,专著1部,获得授权中国国家发明专利30余项,新加坡专利4项,当前申请PCT国际专利1项(美国和澳大利亚)。作为团队核心获省部级奖9项。
Email:qzhl060910@hainnu.edu.cn
一、教育经历:
(1)2007-09至2011-06,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,光学工程,博士;
(2)2004-09至2007-06,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,物理电子学,硕士;
(3)2000-09至2004-07,长春理工大学电子信息工程学院,电子信息工程,学士。
二、工作经历:
(1)2018-12至今,海南师范大学,海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,研究员,博导/硕导;
(2)2015-01至2019-01,新加坡南洋理工大学,电子电气工程学院,研究员,高级研究学者;
(3)2013-05至2015-01,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,助理研究员、副研究员;
(4)2011-04至2013-05,新加坡南洋理工大学,淡马锡实验室,研究员;
(5)2007-06至2011-04,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,助理研究员。
三、主讲课程
本科:光通信技术基础,光电子器件与技术;
研究生:半导体器件物理,半导体激光器工艺。
四、研究方向
1)GaAs、InP、GaSb基高功率、高亮度半导体激光器设计及工艺研究;
2)半导体激光器芯片系统集成研究,包括光频梳芯片、波长可调谐半导体激光光源芯片、激光特种气体探测和光通信等。
五、部分科研成果
纵向课题:
1. 国家自然科学基金面上项目,62274048,基于光电流分布光栅结构的GaSb基多段级联集成近中红外光梳研究,2023/1-2026.12,直接经费52万,在研,主持;
2. 海南省重点研发计划,ZDYF2020036,基于油气输运泄露监测的近中红外光子芯片集成系统研究,2020/1-2022.12,直接经费41万,结题,主持;
3. 国家自然科学基金地区项目,61964007,基于硅光子多环反馈结构的GaSb基~2μm波长混合集成外腔可调谐激光器研究,2020/01-2023/12,直接经费40万,结题,主持;
4. 海南省科技计划重大项目,ZDKJ2019005,微纳遥感卫星用激光通信系统关键技术国产化研发,2019/12-2022/12,800万,结题,参与
5. 国家自然科学基金青年基金项目,61308051,低损伤量子阱内混法制备多波长、低阈值集成式高亮度半导体激光器研究,2014/01-2016/12,26万元,结题,主持
6. 总装国家重点实验室基金,一种××××××半导体激光器研究,2010.1-2012.1,32万元,结题,主持
7. 总装国家重点实验室基金,一种带有×××结构的半导体激光器,2014/01-2016/1,28万元,结题,主持
8. 国家自然科学基金面上项目,61774024,基于扩展透明窗口的1.06um波长高功率、高阶DFB单模半导体激光器研究,2018.01-2021.12,67万,结题,第二
9. 国家自然科学基金面上项目,61370043,近、中红外波段Sb DWELL结构激光器研究,60万,2014.1-2017.12,结题,第二
10. 海南省军民融合办,省部级,2023061529289866,2022JMRH专项,2022-12至2024-05,768.69万元,在研,第二
11. 海南省科技厅,海南省科技计划重点研发项目,ZDYF2020217,面向海洋水听探测应用的窄线宽半导体激光器研究,2020-11至2023-11,65万元,结题,参与
12. 海南省科技厅,海南省科技计划重点研发项目,YSPTZX202034,5G光通信用高阶增益耦合可调谐DFB半导体激光的研究,2020-10至2022-11,50万元,结题,参与;
13. 海南省科技厅,海南省重点研发,ZDYF2020020,智能网联汽车用人眼安全半导体激光雷达传感器研究及应用,2020-11至2022-11,50万元,结题,参与;
14. 中国工程科技发展战略海南研究院,国家其它部委项目,19-HN-XZ-07,激光技术在海面目标探测领域的应用于发展战略研究,2019-10至2020-09,40万元,结题,参与。
获奖:
1.xxxxxxx,2014年国防科学技术进步一等奖;
2.中红外波段I型量子阱激光器材料与器件技术研究,2014年国防技术发明奖,二等奖;
3.980nm光纤光栅外腔半导体激光器,2013年获吉林省技术发明三等奖;
4.光纤耦合半导体激光器,2012年国防科学技术三等奖;
5.新型单模半导体激光器,2011年获国防科学技术三等奖;
6.高性能InGaAsSb近红外半导体激光器材料,2011年国防科学技术进步二等奖;
7.光线耦合半导体激光器模块,2011年国防科学技术二等奖;
8.波长稳定高功率半导体激光器技术研究,2010年国防科学技术进步二等奖;
9.波长稳定高功率半导体激光器技术研究,2010年国防科学技术进步三等奖;
10.2013年吉林省优秀博士论文。
部分授权发明专利:
1.PCT/CN2023/108587一种单片集成多段级联光频梳及其芯片(美国和澳大利亚)
2.2020114593262一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器及其制备方
3.202011505635.9一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法
4.200910066812.5一种高亮度超辐射发光二极管
5.200810050920.9一种半导体激光器腔面钝化方法
6.201010224459.1一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
7.200910066814.4一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法
8. 2019113704284深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法
9. 2019113677516一种深紫外半导体激光器的外延结构及其制备方法
10. 2019113672230深紫外半导体发光二极管的外延结构及其制备方法
11. 2019113700156一种深紫外垂直腔半导体激光器外延结构及制备方法
部分代表性研究文章:
[1] ZHONGLIANG QIAO, XIANG LI, JIA XUBRIAN SIA, WANJUN WANG , HONG WANG , LIN LI1 , ZAIJIN LI, ZHIBIN ZHAO , YI QU , XIN GAO , BAOXUE BO , AND CHONGYANG LIU, Modal Gain Characteristics of A Two-section InGaAs/GaAs Double Quantum Well Passively Mode-locked Laser with Asymmetric Waveguide, Scientific Reports, DOI:10.21203/rs.3.rs-847211/v1(2022)(SCI)
[2] ZHONGLIANG QIAO , XIANG LI, JIA XUBRIAN SIA, WANJUN WANG , HONG WANG , LIN LI , ZAIJIN LI, ZHIBIN ZHAO , YI QU , XIN GAO , BAOXUE BO , AND CHONGYANG LIU, Mode-locked operation characteristics of a monolithic integrated two-section InGaAs/GaAs double quantum wells laser with asymmetric waveguide, Optics and Laser Technology 147 (2022) 107702(SCI)
[3] ZHONGLIANG QIAO , XIANG LI, JIA XUBRIAN SIA, WANJUN WANG , HONG WANG , LIN LI1 , ZAIJIN LI, ZHIBIN ZHAO , YI QU , XIN GAO, BAOXUE BO, AND CHONGYANG LIU, Stable Mode-Locked Operation With High Temperature Characteristics of a Two-Section InGaAs/GaAs Double Quantum Wells Laser, IEEE Access, Vol. 9, pp16608-16614(2021) (SCI).
[4] XIANG LI, JIA XU BRIAN SIA, WANJUN WANG, ZHONGLIANG QIAO, XIN GUO, GEOK ING NG, YU ZHANG, ZHICHUAN NIU, CUNZHU TONG, HONG WANG, AND CHONGYANG LIU, Phase noise reduction of a 2 μm passively modelocked laser through its hybrid integration with a silicon photonic circuit , Optica, Vol. 8, No. 6 (2021) (SCI)
[5] Xiang Li, Hong Wang , Zhongliang Qiao* , Jia Xu Brian Sia, Wanjun Wang, Xin Guo, Yu Zhang, Zhichuan Niu, Cunzhu Tong, and Chongyang Liu,Temperature-dependent phase noise properties of a two-section GaSb-based mode-locked laser emitting at 2 μm Cite as: Appl. Phys. Lett. 117, 141103 (2020); https://doi.org/10.1063/5.0024064 (SCI).
[6] JIA XU BRIAN SIA, XIANG LI, WANJUN WANG, ZHONGLIANG QIAO, XIN GUO, JIN ZHOU, CALLUM G. LITTLEJOHNS, CHONGYANG LIU, GRAHAM T. REED, AND HONG WANG, Sub-kHz linewidth, hybrid III-V/silicon wavelength-tunable laser diode operating at the application-rich 1647-1690 nm, Optics Express, Vol. 28, No. 17 (2020) (SCI).
[7] Lu Wang, Zuobin Wang*, Li Li*, Jingran Zhang, Jinyun Liu, Jing Hu, Xiaomin Wu, Zhankun Weng, Xueying Chu, Jinhua Li and Zhongliang Qiao*, Magnetic–plasmonic Ni@Au core–shell nanoparticle arrays and their SERS properties, RSC Adv., 10, 2661–2669(2020)(SCI).
[8] Jia Xu Brian Sia , Wanjun Wang, Zhongliang Qiao, Xiang Li, Tina Xin Guo, Jin Zhou, Callum G. Littlejohns , Chongyang Liu , Graham T. Reed, and Hong Wang, Analysis of Compact Silicon Photonic Hybrid Ring External Cavity (SHREC) Wavelength-Tunable Laser Diodes Operating From 1881-1947 nm, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 56, NO. 6(2020). (SCI)
[9] Jia Xu Brian Sia, Xiang Li, Zhongliang Qiao, Xin Guo, Jin Zhou, Callum G. Littlejohns , Chongyang Liu , Member, IEEE, Graham T. Reed, Wanjun Wang, and Hong Wang, 1 × N (N = 2, 8) Silicon Selector Switch for Prospective Technologies at the 2 μm Waveband, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 32, NO. 18(2020) (SCI)
[10] Zhongliang Qiao* , Xiang Li , Hong Wang , Te Li , Xin Gao , Yi Qu , Baoxue Bo, and Chongyang Liu,High-performance 1.06-μm InGaAs/GaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric heterostructure layers,Semicond. Sci. Technol. 34.055013(2019).(SCI)
[11] Jia Xu Brian Sia,Wanjun Wang,Xin Guo,Jin Zhou, Zecen Zhang, Mohamed Said Rouifed,Xiang Li, Zhong Liang Qiao,Chong Yang Liu,Callum Littlejohns,Graham T. Reed,Hong Wang, Mid-Infrared, Ultra-Broadband, Low-Loss, Compact Arbitrary Power Splitter Based on Adiabatic Mode Evolution, IEEE Photonics Journal, Vol. 11, No. 2(2019). (SCI)
[12] Xiang Li, Hong Wang, Zhongliang Qiao*, Xin Guo, Wanjun Wang, Jia Xu Brian Sia, Geok Ing Ng, Yu Zhang, Zhichuan Niu , Cunzhu Tong, and Chongyang Liu,High temperature characteristics of a 2 μm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser,Appl. Phys. Lett. 114, 221104 (2019) (SCI)
[13] Xiang Li, Hong Wang, Zhongliang Qiao, Xin Guo, Wanjun wang, Geok Ing Ng, Yingqiang Xu, Zhichuan Niu, Cunzhu Tong, Chongyang Liu, Observation of mode locking, Q-switched mode locking, and Q-switching operations in a 2 µm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser , optics express, 26(7): 8289~8295(2018) (SCI)
[14] Xiang Li, Hong Wang, Zhongliang qiao, Xin Guo, Yu Zhang, Zhichuan Niu,cunzhu Tong, Chongyang Liu, Modal gain characteristics of a 2 µm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser , Applied Physics Letters.,111(251105):251105-1~4(2017)(SCI)
[15] Xiang Li, Hong Wang, Zhongliang Qiao; Yongping Liao; Yu Zhang; Zhicuan Niu; Chongyang Liu, Temperature and current dependent spontaneous emission study on 2-µm InGaSb/AlGaAsSbquantum well lasers, Japanese Journal of Applied Physics, Rapid Communication (RC), 56(5): 050310-1~4 (2017)(SCI)
[16] Xiang Li, Hong Wang, Zhongliang Qiao,Yu Zhang, Zhicuan Niu; Cunzhu Tong, Chongyang Liu, Design and Analysis of 2-µm InGaSb/GaSb Quantum Well Lasers Integrated onto Silicon-on-Insulator (SOI) Waveguide Circuits through an Al2O3 Bonding Layer , IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 22(6): 1500507-1~7(2016)(SCI)
[17] Zhongliang Qiao, Xiaohong Tang, Xiang Li, Baoxue Bo, Xin Gao, Yi Qu, Chongyang Liu and Hong Wang,Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing,IEEE Journal of the Electron Devices Society(2017)(SCI).
[18] Lei Wang, Haijuan Yu, Jingyuan Zhang, Yaoyao Qi, Zhongliang Qiao*, Xuechun Lin*, the study of burst pulses envelope in Ytterbium-doped fibre amplifier modulating by pulsed pump source,Optics Communications, 360vol, pp 83-88(2016)(SCI)
[19] 乔忠良,曲轶.高亮度半导体激光器,吉林大学出版社,2019.5.
七、学术兼职
现为国家自然科学基金项目函评人;山东省人才项目函评人;教育部学位中心全国博士、硕士学位论文评审人;High Power Laser Science and Engineering、Laser & Photonics Reviews、Advanced Photonics Nexus、Journal of Lightwave and Technology、IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron、Photonics Technology Letters、Journal of applied Physics、Sensors、Photonics和Solid-State Electronics等十余家国际著名期刊审稿人。
八、招收学生要求
博士:热爱思考,热爱科研,有坚韧的性格和踏实的品行,能坐得住。物理学、光学工程、材料学、光电子学科同学均可报考。英语要求过六级,有发表国内外期刊论文经历者优先。个人关注光集成芯片研究。
硕士:为人品行端正、诚实守信、积极乐观,喜欢思考,愿意学习。电子、光学工程方向同学可报考。英语要求四级以上。
九、专长及代表性成果、贡献
近20年来,主要专注于半导体激光器相关方面的研究。包括GaAs、InP、GaSb基大功率高亮度近、中红外边发射半导体激光器,波长涵盖7xxnm、8xxnm、9xxnm、10xxnm、15xxnm、16xxnm、19xxnm、2xxxnm和4.xxmm半导体激光器及其阵列,以及相关波长的特殊结构和功能的激光光源集成芯片,比如DFB、MOPA、Ring结构等。目前正在开展InP基QCL及GaSb基~2.0mm半导体激光芯片及相关波长系统集成应用研制。并进行了可调谐半导体激光器相关器件的制备及应用研究,涉及水下光通信、空间光通信、油气污染和特种气体激光检测等系统应用性研究。