个人基本信息：
刘国军：男，汉族，1963年1月出生于吉林省长春市。光学工程专业二级研究员、博士生导师。
1984年7月获长春光学精密机械学院光电子学专业学士学位，1987年7月获中科院长春光机所光学专业硕士学位，1990年6月获清华大学光学专业博士学位。1999年10月至2001年9月在日本东北大学从事博士后研究，为日本应用物理学会会员。2017年12月至2018年6月在美国北伊利诺伊大学做高级研究学者。1997年晋升研究员。2001年被聘为博士生导师。
历任原任高功率半导体激光国家重点实验室主任、学术委员会委员，中国人民解放军总装备部光电子技术专业组成员，国防科学技术奖评审专家，国家自然科学基金评审专家、国家留学基金评审专家、国家重大科学仪器设备开发专项技术专家、中国光学学会高级会员、SPIE会员等。先后被评为“吉林省有突出贡献的中青年专业技术人才”、“吉林省杰出青年”、“教育部新世纪优秀人才”等。现任海南师范大学物理与电子工程学院二级研究员。
学术研究方向：
从事半导体材料和发光器件理论和技术方面的研究工作，主要包括可见光、近中红外半导体激光器材料生长及器件制备技术，半导体激光器模块、光纤通信以及空间通信用的半导体激光发射源等研究。
参加工作以来承担了二十余项国家、省部级科研项目，其中包括国家科技部科技攻关项目、国家自然科学基金项目、863项目、国防类基础研究项目等。共培养毕业博士10人、在读3人，硕士30余名（其中2人获吉林省优秀博士论文）。
主要学术成果：
先后荣获国家及省部级奖励7项，发表学术论文100余篇，其中被SCI检索40余篇，获得授权国家发明专利20余项。
获得的奖项：
1、中红外波段I型量子阱激光器材料与器件技术，国防科技发明二等奖（第六名）（2014）。
2、应变半导体激光器及其高效激励源研究，国防科学技术进步三等奖（第一名）（2013）。
3、高性能InGaAsSb近红外半导体激光器材料，中国兵器科学技术进步二等奖（第一名）（2011）。
4、小芯径光纤耦合LD技术，国防科学技术进步三等奖（第四名）（2010）。
5、高温工作半导体激光器材料研究，中国兵器工业集团公司科技进步三等奖（第一名）（2010）。
6、半导体激光泵浦固体激光技术/InGaAsP/GaAs高功率半导体激光器，国家科学技术进步三等奖（第二名）（1999）。
7. 半导体激光泵浦固体激光技术/InGaAsP/GaAs高功率半导体激光器，兵器工业部科技进步一等奖（第二名）（1998）。
主持完成的主要科研项目：
1、总装备部预研项目，850 nm 高速XXX模块研究，2011/01-2015/12、200万元，已结题、主持。
2、国防基础科研项目，XXX半导体激光器及其XXX激励源研究，2010/01-2013/12，200万元，已结题、主持。
3、国家863计划项目，高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发， 2009/01-2012/12、300万元、已结题验收，子课题负责人。
4、总装预研基金项目，高性能XXX近红外半导体激光器材料，2009/01-2011/12、30万元、已结题验收，主持。
5、国家科技攻关计划项目，连续型微透镜封装高功率半导体激光器，2003/11-2005/11、1000万元。已结题（鉴定）、主持。
主持的在研项目：
1、总装预研基金重点项目，新型混合非对称材料半导体激光功率亮度倍增技术，2018/01-2021/12、65万元、在研、主持。
